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IPD053N08N3价格
参考价格：￥4.9339
型号：IPD053N08N3G 品牌：Infineon 备注：这里有IPD053N08N3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPD053N08N3批发/采购报价，IPD053N08N3行情走势销售排行榜，IPD053N08N3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD053N08N3 | High frequency switching 文件：336.44 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
OptiMOS3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | Infineon 英飞凌 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰3 Power-Transistor 文件：351.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰3 Power-Transistor 文件：351.65 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
High frequency switching 文件：336.44 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPD053N08N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD053N08N3
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
新年份 |
TO-252 |
65890 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
|||
INF |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
INF |
23+ |
TO-252 |
16017 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
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IPD053N08N3规格书下载地址
IPD053N08N3参数引脚图相关
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2018-12-30
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