位置：首页 > IC中文资料第4844页 > IPB072N15N3GE818XT
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INFINEON | ETC |   | ||
INFINEON | ETC | | ||
INFINEON | ETC | |
IPB072N15N3GE818XT产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB072N15N3GE818XT
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-4 10:50:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263-3 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5500 |
原厂原装,假一罚十 |
||||
INFINEON |
25+23+ |
TO-263 |
16151 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装只有原装深圳现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
1610+ |
TO-263 |
7 |
只做原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2018+ |
TO-263 |
15000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
6000 |
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IPB072N15N3GE818XT参数引脚图相关
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