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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB023N04N | 丝印代码：D2PAK；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：244.13 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
丝印代码：023N04NS；StrongIRFETTM2 Power-Transistor Features • Optimized for wide range of applications • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 | INFINEON 英飞凌 | | ||
StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 40 V，采用 D²PAK 封装 | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS?? Power-Transistor 文件：246.18 Kbytes Page：10 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.92 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.92 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPB023N04N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB023N04N
- 功能描述
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1110+ |
TO263 |
366 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
||||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-3 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2511 |
TO252-3 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
INF |
23+ |
TO263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
|||
I |
25+ |
TO263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
14 |
86000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
INFINEON |
23+ |
7000 |
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2023-5-20IPB011N04L G
优势渠道
2023-3-24IPB036N12N3GATMA1
原装正品现货
2022-6-2IPB025N10N3G 原厂原装 正品现货MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
只做原装 支持实单 价格优势 有单必成
2022-5-12IPB025N10N3G 场效应管IC芯片 丝印025N10N TO-263
IPB025N10N3G
2022-4-27IPA80R280P7原装现货
IPA80R280P7原装正品
2021-8-10
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