N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

N-channel, normal level

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丝印代码：D2PAK；isc N-Channel MOSFET Transistor

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结合低 RDS(on) 与宽安全工作区 (SOA)

OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating a • Combination of low R DS(on) and wide safe operating area (SOA)\n• High max. pulse current\n• High continuous pulse current\n\n优势:\n• Rugged linear mode operation\n• Low conduction losses\n• Higher in-rush current enabled for faster start-up and shorter down time;

丝印代码：020N10LF；OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V

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丝印代码：D2PAK；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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丝印代码：PRM020N10N5；100V Single N-Channel MOSFET

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