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IMT65R030M1H

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V

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封装/外壳:8-PowerSFN 包装:管件 描述:SILICON CARBIDE MOSFET 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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更新时间:2025-10-2 12:00:00
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