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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IMW65R030M1H | 650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.41093 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IMW65R030M1H | CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效 | Infineon 英飞凌 | | |
MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.58151 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device 文件：1.42595 Mbytes Page：15 Pages | Infineon 英飞凌 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-4-23
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