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IMW65R030M1H

650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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Infineon

英飞凌

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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更新时间:2025-8-17 23:01:00
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