发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2022-10-28 9:07:00
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.2 V
Qg-栅极电荷: 83 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
240
子类别: MOSFETs
零件号别名: IMW120R020M1H SP005448291
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 | 23+ | PG-TO247-3 | 12700 | 买原装认准中赛美 | |||
Infineon/英飞凌 | 21+ | PG-TO247-3 | 6820 | 只做原装,质量保证 | |||
Infineon Technologies | 24+ | 原装 | 5000 | 原装正品,提供BOM配单服务 | |||
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Infineon/英飞凌 | 23+ | PG-TO247-3 | 6000 | 我们只做原装正品,支持检测。 | |||
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Infineon/英飞凌 | 2022+ | PG-TO247-3 | 48000 | 只做原装,原装,假一罚十 |
