制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.2 V
Qg-栅极电荷: 83 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 375 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
产品: MOSFET
产品类型: MOSFET
240
子类别: MOSFETs
零件号别名: IMW120R020M1H SP005448291
