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IMZA65R030M1H

650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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Infineon

英飞凌

MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

Features • Optimized switching behavior at higher currents • Commutation robust fast body diode with low Qf • Superior gate oxide reliability • Tj,max=175°C and excellent thermal behavior • Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature • Increased avalanche capability • Compatib

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650 V CoolSiC짧 M1 SiC Trench Power Device

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更新时间:2025-8-16 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO247-4-3
25630
原装正品
Infineon/英飞凌
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原装正品公司现货,假一赔十!
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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