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位置：首页 > IC中文资料第3242页 > IKW15N120

IKW15N120价格

参考价格：￥16.8529

型号：IKW15N120H3 品牌：Infineon 备注：这里有IKW15N120多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKW15N120批发/采购报价，IKW15N120行情走势销售排行榜，IKW15N120报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKW15N120CS7

Shortcircuitrugged1200VTRENCHSTOP™IGBT7technology

Shortcircuitrugged1200VTRENCHSTOP™IGBT7technologycopackedwithsoftandfastrecoveryEmitterControlled7diode Features •VCE=1200V •IC=15A •IGBTco-packedwithfullcurrent,softandlowQrrdiode •LowsaturationvoltageVCE(sat)=2.0VatTvj=175°C •Optimizedforhard

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120CS7

EiceDRIVER™1ED314xMU12F(1ED-X3Compact)

Features •Single-channelisolatedgatedriver •Forusewith600V/650V/1200V/1700V/2300VIGBTs,SiandSiCMOSFETs •Upto6.5Atypicalpeakoutputcurrent •45nspropagationdelaywith7nspart-to-partmatching(skew) •35Vabsolutemaximumoutputsupplyvoltage •Highcommon-mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120H3

HighspeedDuopack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

Features: TRENCHSTOP™technologyoffering •verylowVCEsat •lowEMI •Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode •maximumjunctiontemperature175°C •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •completeproductspectrumandPSpiceMod

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120BH6

HighspeedsoftswitchingTRENCHSTOPTMIGBT6inTrenchandFieldstoptechnologycopackedwithsoftandfastrecoveryanti-paralleldiode

文件：2.14502 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120CS7XKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：INDUSTRY 14 PG-TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120H3

1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120H3_14

1200Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

文件：2.13291 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120H3FKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120T2

IGBTin2ndgenerationTrenchStop짰technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode

文件：477.64 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120T2

LowLossDuoPack:IGBTin2ndgenerationTrenchStoptechnology

文件：386.59 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120T2_08

LowLossDuoPack:IGBTin2ndgenerationTrenchStoptechnology

文件：386.59 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKW15N120T2_13

IGBTin2ndgenerationTrenchStop짰technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode

文件：477.64 Kbytes Page：15 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
DTGN15N120

Highruggedness,temperaturestablebehavior

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationsuchasIH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavior

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120P

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiency andhighavalancheruggednessforsoftswitchingapplicationsuchas IH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms ·E

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
FGA15N120AND

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
BRG15N120D

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

IKW15N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKW15N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKW15N120供应商更多...

更新时间：2024-6-3 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IKW15N120H3
INFINEO
2020+
TO-247
80000
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
IKW15N120H3
INFINEON/英飞凌
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深圳市环球伟业电子有限公司
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深圳中芯器材有限公司
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IKW15N120H3
INFINEON/英飞凌
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深圳市星辰微电科技有限公司
IKW15N120H3
INFINEON/英飞凌
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TO-247
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深圳市艾宇特电子科技有限公司
IKW15N120H3
INFINEON/英飞凌
2048+
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    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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