发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司时间：2024-6-20 10:04:00
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地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流: 30 A
Pd-功率耗散: 235 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极最大连续电流 Ic: 30 A
栅极—射极漏泄电流: 600 nA
高度: 20.9 mm
长度: 15.9 mm
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.03 mm
单位重量: 38 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IGBT in 2nd generation TrenchStop? technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |   | ||
Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
Low Loss DuoPack : IGBT in 2nd generation TrenchStop technology | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
IGBT in 2nd generation TrenchStop? technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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