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位置：首页 > IC中文资料第2291页 > IKD04N60

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IKD04N60R

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60R

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.90202 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60R

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60R

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD04N60RA

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

文件：2.40565 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RA

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

Infineon

英飞凌

IKD04N60RC2

600 V、4 A IGBT 分立器件，带反向导电驱动 2 个二极管，采用 TO-252 封装

Infineon

英飞凌

IKD04N60RC2

Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

文件：1.44619 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 8A 75W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

分立式IGBT

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.92867 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF_14

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.92867 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD04N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

文件：1.75761 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

04N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件：1.94923 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60H-HF

Power MOSFET

文件：1.94027 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60H-H-HF

Power MOSFET

文件：1.94029 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

04N60I

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：62.82 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

04N60J

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

文件：64.16 Kbytes Page：5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

IKD04N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD04N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKD04N60供应商更多...

更新时间：2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IKD04N60R
Infineon(英飞凌)
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深圳市凌旭科技有限公司
IKD04N60R
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深圳市河锋鑫科技有限公司
IKD04N60R
Infineon/英飞凌
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深圳市正纳电子有限公司
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Infineon(英飞凌)
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深圳市蓝山航业科技有限公司
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深圳市柯尔基电子有限公司
IKD04N60RF
INFINEON/英飞凌
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原装正品,专业分销IGBT管
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深圳市能元时代电子有限公司
IKD04N60R
INFINEON
23+
TO252
20903
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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IKD04N60规格书下载地址

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    https://hfx03.114ic.com/

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  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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