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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IKD04N60RFA | Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses 文件：1.75761 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IKD04N60RFA | Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses | Infineon 英飞凌 | | |
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.94923 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：1.94027 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Power MOSFET 文件：1.94029 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：62.82 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 文件：64.16 Kbytes Page：5 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
IKD04N60RFA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IKD04N60RFA
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT PRODUCTS - Tape and Reel
- 制造商
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
TAMURA |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
24+ |
N/A |
78000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
|||
INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO2523 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON |
1932+ |
TO-252 |
611 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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2022-2-19IKD06N60RF
类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO
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2019-9-25
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