型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IKD04N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

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Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

RC-Drive and RC-Drive Fast

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Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

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Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 8A 75W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD04N60RF

分立式IGBT

Infineon

英飞凌

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

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Infineon

英飞凌

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

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Infineon

英飞凌

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

Infineon

英飞凌

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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A-POWER

富鼎先进电子

IKD04N60RF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD04N60RF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 TRENCH RC Drive Fast 600V 4A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 10:31:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
72500
原装现货假一赔十
Infineon Technologies
22+
TO2523
9000
原厂渠道,现货配单
INFINION
24+
TO-252
20000
原装正品 特价现货(香港 新加坡 日本)
INFINEON/英飞凌
23+/24+
TO-252
9865
原装正品,专业分销IGBT管
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
INFINEON
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
infineon/英飞凌
21+
SOT-252
10000
原装现货假一罚十
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
11220
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务

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    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19
  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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