IGBT晶体管STGP10NB60SD

时间:2019-12-4 10:24:00

IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

规格

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: STMicroelectronics

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

Pd-功率耗散: 3.5 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: STGP10NB60SD

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 20 A

高度: 9.15 mm

长度: 10.4 mm

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 1000

子类别: IGBTs

单位重量: 6 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

2025-10-1 16:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
TO220F
21574
郑重承诺只做原装进口现货
ST
23+
TO-220
16900
正规渠道,只有原装!
ST/意法半导体
23+
N/A
20000
ST/意法
25+
NA
860000
明嘉莱只做原装正品现货
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
ST
24+
TO-220-3
976
ST/意法半导体
21+
TO-220-3
8860
只做原装,质量保证
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
19+
TO220
20000
445
ST/意法半导体
23+
TO-220-3
8860
原装正品,支持实单