IGBT晶体管STGP10NB60SD

时间：2019-12-4 10:24:00

IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

规格

产品属性属性值搜索类似

制造商: STMicroelectronics

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

Pd-功率耗散: 3.5 W

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: STGP10NB60SD

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 20 A

高度: 9.15 mm

长度: 10.4 mm

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 1000

子类别: IGBTs

单位重量: 6 g

型号查询	功能描述	生产厂家&企业
STGP10NB60S	N-CHANNEL 10A - 600V TO-220 PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60S	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60S_05	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60SD	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 Low Drop PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60SDFP	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60SFP	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh??IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
STGP10NB60SFP	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GB10NB60S	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GF10NB60SD	N-channel 10A - 600V - TO-220FP PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
GP10NB60S	N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团

现货更多...

2025-8-3 16:01:00