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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IGB30N60T | Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology 文件：358.23 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IGB30N60T | Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：465.76 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IGB30N60T | Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：674.12 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IGB30N60T | 600 V、30 A IGBT 分立器件，采用 TO263 封装 | Infineon 英飞凌 | | |
Low Loss IGBT in TrenchStop technology 文件：465.76 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology 文件：674.12 Kbytes Page：12 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris | Bourns 伯恩斯 | | ||
Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | |
IGB30N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGB30N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
6500 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
|||
INFINEON |
24+ |
P-TO-263-3-2 |
8866 |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
原装正品，支持实单 |
IGB30N60T芯片相关品牌
IGB30N60T规格书下载地址
IGB30N60T参数引脚图相关
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IGB30N60T数据表相关新闻
IFX1763LDV33XUMA1 6000PCS LDO稳压器 INFINEON 封装： TFDFN-10(EP)
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2023-10-6IFX54441EJV33XUMA1
联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095
2021-10-12IFX54441EJV33XUMA1
厂商名称 Infineon 包装说明 ， Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 Factory Lead Time 8 weeks Samacsys Description INFINEON - IFX54441EJV33XUMA1 - LDO， FIXED， 3.3V， 0.3A， HSOIC-8 湿度敏感等级 3 峰值回流温度（摄氏度） 260 调节器类型 ADJUSTABLE POSITIVE SINGLE OUTPUT LDO REGULATOR
2021-10-12IGBT 模块 Infineon Technologies DD800S17K3_B2
IGBT 模块 1.7KV 600A
2021-3-8IGBT模块2MBI450VN-120-50原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
2019-12-11IGBT晶体管STGP10NB60SD
IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
2019-12-4
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