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IGB30N60T中文资料

厂家型号

IGB30N60T

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功能描述

Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IGB30N60T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGB30N60T

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-4 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
1612
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
INFINEON
24+
P-TO-263-3-
9250
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INFINEON
11+
TO-263
2575
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
23+
30A,600V,不带D
20000
全新原装假一赔十
Infineon
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
INFINEON
23+
TO-263
5075
原厂原装正品
INFINEON
24+
P-TO-263-3-2
8866
INFINEON
23+
TO-263
6500
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INFINEON
2023+
TO-263
890
专注配单,只做原装进口现货
INFINEON
23+24
DPAK(TO-252)(TO-263)
49820
主营全系列二三极管、MOS场效应管、