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MRF313

HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon High-Frequency Transistor . . . designed for wideband amplifier, driver or oscillator applications in military, mobile, and aircraft radio. • Specified 28 Volt, 400 MHz Characteristics — Output Power = 1.0 Watt Power Gain = 15 dB Min Efficienc

MOTOROLA

摩托罗拉

NTE313

Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise, VHF Mixer and VHF/RF Amp

Description: The NTE 313 is a silicon NPN transistor specifically designed for VHF mixer and VHF/RF amplifier applications. This device features high power gain, low noise, and excellent forward AGC characteristics.

NTE

PNZ313

PIN Photodiode

PIN Photodiode For optical control systems Features • Fast response which is well suited to high speed modulated light detection : tr, tf = 50 ns (typ.) • High sensitivity, high reliability • Peak sensitivity wavelength matched with infrared light emitting diodes : λP = 960 nm (typ.) • Wide

PANASONIC

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LM313

Reference Diode

文件：126.55 Kbytes Page：4 Pages

NSC

国半

LM313H

Reference Diode

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NSC

国半

HSD313-F供应商更多...

更新时间：2026-3-18 20:23:01
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    2013-1-28

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