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LM313	ReferenceDiode 文件：126.55 Kbytes Page：4 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
LM313	ReferenceDiode 文件：293.65 Kbytes Page：10 Pages	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
LM313-155.52M	5.0x7.0mmSurfaceMountLVDSClockOscillatorSeries 文件：138.03 Kbytes Page：2 Pages	Connor-Winfield Connor-Winfield Corporation
LM3134KT	N-ChannelEnhancementModeFidldEffectTransistor 文件：480.77 Kbytes Page：4 Pages	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LM3139	P-Channel1.8-V(G-S)MOSFET 文件：812.93 Kbytes Page：6 Pages	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LM313H	封装/外壳：TO-46-2，金属罐包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC VREF SHUNT 5% TO2 集成电路（IC）电压基准	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
LM313H	ReferenceDiode 文件：126.55 Kbytes Page：4 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司
313E	GaAsInGaPHBTMMICBROADBANDAMPLIFIERGAINBLOCK,DC-6.0GHz GeneralDescription TheHMC313&HMC313EareGaAsInGaPHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)MMICamplifiersthatoperatefromasingleVccsupply.ThesurfacemountSOT26amplifiercanbeusedasabroadbandgainstageorusedwithexternalmatchingforoptimizednarrowbandapplication	Hittite Hittite Microwave Corporation
313	3M??Scotch짰BoxSealingTape313 文件：560.83 Kbytes Page：4 Pages	3M 3M Electronics
313	WihaInsulated1/4Sockets&Sets 文件：259.62 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
313	3AGSlo-BloFuse313/315Series 文件：94.35 Kbytes Page：1 Pages	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯（Littelfuse）力特公司
313A	LowPowerIndicator 文件：58.3 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商

LM313产品属性

类型
描述
型号
LM313
制造商
NSC
制造商全称
National Semiconductor
功能描述
Reference Diode

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更新时间：2024-9-21 9:08:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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LM313-参考二极管
LM113/LM313参考二极管一般描述该LM113/LM313是温度补偿，低电压基准二极管。它们的特点是非常紧调控工作电流超过了在广泛的范围内除了一个不寻常的低击穿电压和良好的温度稳定。二极管是用合成的晶体管和电阻器在一个单片集成电路。因此，他们有相同的低噪音和长期稳定，现代集成电路运算安培。此外，输出的基准电压只取决于关于在IC元件高度可预测性，因此他们可以制造和供应紧张的公差。特点低击穿电压：1.220V动态阻抗0.3X从500mA到20
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LM199/LM299/LM399/LM3999精密基准一般描述该LM199系列精密，温度稳定提供温度系数的因素单片齐纳二极管十比齐纳二极管更好的高品质的参考。构建在一个单芯片是温度稳定电路齐纳和积极的参考。主动电路降低齐纳的动态阻抗约0.5瓦，并允许齐纳操作超过0.5mA到10mA电流范围基本上没有电压或温度变化系数。此外，一个新的地下结构使齐纳低噪声和出色的长期稳定性比普通单片齐纳二极管。该软件包是配备有热盾，以减少功耗，提高温度加热器监管。LM199系列的引用是非常容易使用和自由的，常常遇到的问题与普通齐纳二极管。
2013-3-21

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