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HM8N65

高压MOS

HMPOWERSEMI

虹美功率

高压MOS

HMPOWERSEMI

虹美功率

8A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

■ DESCRIPTION The UTC 8N65 is a high voltage and high current power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applicat

UTC

友顺

8A mps,650 Volts N-CHANNEL MOSFET

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CHONGQING

平伟实业

isc N-Channel Mosfet Transistor

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ISC

无锡固电

650V N-Channel Power MOSFET

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DYELEC

迪一电子

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.1056 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-29 17:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HMC
23+24
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原装正品优势渠道价格合理.可开13%增值税发票
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Hmsemi
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    进口代理

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    2021-9-9
  • HMC1040LP3CE 射频放大器 贸泽微优势

    HMC1040LP3CE 射频放大器 贸泽微优势

    2020-10-16
  • HM5905

    HM5905,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    HMA121CR3-全间距微型扁平封装4针光耦合器 HMA124,HMA121系列和HMA2701系列由砷化镓红外发光二极管驱动在一个紧凑的4针微型扁平封装的硅光电晶体管。引线间距为2.54毫米。 HMAA2705由两个砷化镓红外发光二极管反向并联连接,驾驶一个单一的硅光电晶体管在一个紧凑的4针微型扁平封装。引线间距2.54毫米 应用 HMAA2705 •交流线路监控 •未知极性直流传感器 •电话线接收器 HMA121系列,HMA2701系列,HMA124

    2012-11-7