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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,69A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 100V,69A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=70A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

100VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FastSwitchingSpeed

文件:49.14 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-6-4 22:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
ON实际数量电
2020+
TO-3P
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
onsemi
24+
TO-3PN
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
ON/安森美
21+
TO-3PN-3
8800
公司只做原装正品
ON/安森美
22+
TO-3PN-3
6000
只做原装,假一赔十
onsemi(安森美)
23+
TO3P
6000
诚信服务,绝对原装原盘
ON/安森美
21+
TO-3PN-3
8080
公司只做原装,诚信经营
ON/安森美
21+
TO-3PN-3
13880
公司只售原装,支持实单
ON/安森美
23+
TO-3PN-3
8080
原装正品,支持实单
ON/安森美
23+
NA
25630
原装正品

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    HM5905,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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