| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SHIELDED SMT POWER INDUCTORS ● FEATURE Various high power inductor are Superior to be high saturation for surface mounting ● APPLICATIONS 2 DC/DC converter power supply, Telecommunication equipment | PRODUCTWELL |   | ||
1.3 Watts Axial Leaded Zener Diodes VOLTAGE RANGE: 2.4 - 200V POWER: 1.3Wa t t s Features ● Complete Voltage Range 2.4 to 200 Volts ● High peak reverse power dissipation ● High reliability ● Low leakage current | SUNMATE 森美特 | | ||
POWER INDUCTOR ●FEATURE 1. Excellent solder heat resistance(add “C” is for high current type) 2. Low voltage drops and small variations inductance ●APPLICATION 1. DC power supply circuits 2. Power line choke coils…etc | AITSEMI 创瑞科技 | | ||
WIRE WOUND SMD INDUCTOR ●FEATURE 1. Low core loss for high frequency power application 2. Large terminal surface ●APPLICATION 1. Portable communication equipment, notebook computer | AITSEMI 创瑞科技 | | ||
THREADED INSERT, THRU, REGULAR HEAD STYLE 文件：20.42 Kbytes Page：1 Pages | WITTEN | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INMET |
24+ |
SMA |
23 |
||||
MAXIM/美信 |
16+ |
TSOC-6 |
11331 |
只做原厂原装,认准宝芯创配单专家 |
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PH |
19+ |
TO-92 |
18578 |
||||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
330135 |
一级代理，原装现货 |
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24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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ATC |
24+ |
SMD |
60976 |
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价 |
|||
Abbatron / HH Smith |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
||||
NA |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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BROCADE |
25+ |
BGA |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
|||
AVX |
22+ |
SMD1808 |
100000 |
原装优质现货订货渠道商 |
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HK4100F-DC12V-SHG
HK4100F-DC12V-SHG，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-14HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3
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