| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
433 High Temperature Aluminium Foil Tape 文件：48.7 Kbytes Page：3 Pages | 3M |   | ||
Surface Mount Fuses - Thin-Film Surface Mount 文件：51.36 Kbytes Page：1 Pages | Littelfuse 力特 | | ||
Ultra Low Jitter 1pS 文件：134.52 Kbytes Page：2 Pages | OSCILENT | | ||
SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-4, DC - 8.0 GHz 文件：309.4 Kbytes Page：6 Pages | Hittite | | ||
SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-4, DC - 8 GHz 文件：228.15 Kbytes Page：6 Pages | Hittite | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
4000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
AD |
24+ |
DIP |
13 |
||||
LITTELFUSE |
25+ |
49 |
公司优势库存 热卖中! |
||||
ROHM/罗姆 |
22+ |
SOT-223 |
20000 |
只做原装 |
|||
NDK |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
LITTLEFUSE |
24+ |
原厂原封 |
2000 |
原装正品 |
|||
AD |
24+ |
200 |
进口原装正品优势供应 |
||||
DP |
20+ |
NS |
26000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
BB |
DIP |
937 |
优势库存 |
||||
UTG |
23+ |
SOT-223 |
8999999 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
HIRK433AP规格书下载地址
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2021-6-2HISILICON海思 HI3519ARFCV100
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2020-8-28HIP6603-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡 和传导损耗。在HIP6601和HI
2013-3-3HIP6602-双通道同步整流降压MOSFET驱动器
双通道同步整流降压MOSFET驱动器 该HIP6602是一个高频率，两间电力通道MOSFET驱动器专门设计用于驱动四个电源N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP63xx结合这些驱动程序系列多相降压PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一个完整的核心电压稳压器解决方案先进的微处理器。在驱动器的HIP6602上下都是一个盖茨范围为5V至12V。这个驱动电压提供了灵活性优化应用程序中受益，涉及权衡之间的开关损耗和传导损耗。在HIP6602输出驱动器有能力在高效率开关频率功率MOSFET。每个司机是驾驶一辆带有30ns一个3000pF负载的能力传播
2013-3-3HIP6601-同步整流降压MOSFET驱动器
同步整流MOSFET的降压驱动程序 HIP6601和HIP6603的高频率，双MOSFET驱动器专门设计用于驱动两个功率 N沟道MOSFET在同步整流降压转换器。与HIP630x结合这些驱动程序多相降压PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一个完整的核心电压调节器解决方案 先进的微处理器。驱动的HIP6601在同步整流更低的栅极大桥至12V，而高门可以独立推动在一个范围从5V至12V。驱动器的HIP6603以上为5V至12V范围内的上下门。这驱动电压的灵活性提供了优化的优势应用领域涉及开关损耗之间的权衡和传导损耗。在HIP
2013-3-3
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