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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HIGH VOLTAGE CAPACITORS MONOLITHIC CERAMIC TYPE
| SEMTECH 先之科 |   | ||
10W - 33KV SINGLEOUTPUT DC / DC INDUSTRIAL Features • 0 to 100 adjustability. • Voltage programmable. • Voltage monitor. • Remote on/off control. • EMI/RFI shielding. • Short circuit, reverse polarity protection. • Arc protection. | POWERBOX | | ||
DC Response, Silicon MEMS 文件：156 Kbytes Page：3 Pages | TEC 泰科电子 | | ||
EPDM Snap-In Liquid Tight Bushings 文件：95.85 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
Adafruit NeoTrellis M4 with Enclosure and Buttons Kit Pack 文件：1.95471 Mbytes Page：4 Pages | Adafruit | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NA |
24+ |
NA/ |
3290 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
JOHNSON |
2016+ |
SMD |
8096 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
CHINAXYJ |
23+ |
SMD |
9868 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
BOSCH/博世 |
22+ |
QFP64 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
BOSCH/博世 |
25+ |
QFP64 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
TI |
16+ |
SOP8 |
710 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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POWERNET |
24+/25+ |
6000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
22+ |
5000 |
||||||
JOHNSON |
24+ |
SMD |
8096 |
全新原装数量均有多电话咨询 |
|||
ST/意法 |
25+ |
SMD |
341 |
全新原装正品支持含税 |
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2025-1-15HIP4082IBZT信誉第一 只做原装正品
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2020-10-30HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能
HIP2101IB 贴片SOP-8 门驱动器 的功能
2020-2-8HIP4080-80V/2.5A峰值，高频全桥FET驱动器
说明 该HIP4080是一个高频率，中压全桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器，用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡（高启动）铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET，保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的，是非常适合的HIP4080音圈马达驱动，D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达，二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达，因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，
2013-3-4HIP2100-100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥驱动器
100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动 该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。 特点 •驱动N沟道MOSFET半桥 •
2013-3-4HIP1020-双或三输出热插拔控制器
HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。 内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。 5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di / dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC = 12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22V HGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。 “LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5V M
2013-1-6
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