HIP1020-双或三输出热插拔控制器

HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。 内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。 5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di / dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC = 12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22V HGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。 “LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5V MOSFET的同步控制。当VCC = 5V时，电荷泵的输入电压三倍频模式。 HGATE坡道上的电压从零到12.5V而LGATE坡道12.0V约3ms的。这种模式是理想的选择为控制高侧MOSFET开关在3.3V5V电源开关12V偏压时不可用。

特点
•上升时间控制设备湾规格
•无需额外的元件
•内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
•驱动器的任何一个，两个或三个输出的组合。
•内部控制开启斜坡上- 可选电容选择速度较慢
•防止虚假打开，在炎热的插入
•采用12V或5V偏置
•提高设备湾外围尺寸成本和复杂性
- 最少的元件数量
- 微型5引脚SOT23封装
•控制标准和逻辑电平MOSFET
•兼容与TTL和3.3V的逻辑器件
•关断电流........... <1μA
•工作电流........... <3毫安

应用
•设备湾外设
•热门插件控制
•电源分布控制