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HALL EFFECT GEAR-TOOTH SENSORS ZERO SPEED

HALL EFFECT GEAR-TOOTH SENSORS–ZERO SPEED The A3046EU/LU, A3056EU/LU, and A3058EU/LU Hall effect gear-tooth sensors are monolithic integrated circuits that switch in response to differential magnetic fields created by ferrous targets. These devices are ideal for use in gear-tooth-based speed,

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更新时间:2025-12-25 23:01:01
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  • HIP2100-100V/2A山顶,低成本,高频率的一半桥驱动器

    100V/2A山顶,低成本,高频率半桥驱动 该HIP2100是一个高频率,100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路,可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制,并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手,高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。 特点 •驱动N沟道MOSFET半桥 •

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    HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V,5V和12V的MOSFET的任意组合。 内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时,需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。 5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di / dt限制。如果一个较慢的速度是必需的,内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC = 12V,电荷泵的坡道上的电压从零到22V HGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时,高边开关为12V电源控制。 “LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5V M

    2013-1-6