型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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13/4(44.5mm)SingleTurnWirewoundPrecisionPotentiometer FEATURES •Largerangeofohmicvalues:5to65k •Screw,servoorbushingmounttypesavailable •Upto6sectionsonthesameshaft •Extratapsuponrequest •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | |||
FLAT-PAKFastActingFuse202Series 文件:40.13 Kbytes Page:1 Pages | LittelfuseLittelfuse Inc. 力特富斯(Littelfuse)力特公司 | |||
DirectreplacementforFrenchStyleT1MidgetFlangeSX3s 文件:273.07 Kbytes Page:5 Pages | MARL Marl International Ltd | |||
M12-AFemale4PinFieldAttachable 文件:195.25 Kbytes Page:2 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | |||
MonolithicQuadSPSTCMOSAnalogSwitches 文件:118 Kbytes Page:9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Bourns(伯恩斯) |
23+ |
SMD |
41535 |
免费送样,账期支持,原厂直供,没有中间商赚差价 |
|||
SEMITEC |
2013 |
DIP |
6523 |
只做原装正品!假一赔十! |
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TE/泰科 |
22+ |
N/A |
192 |
代理渠道 |
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Molex |
新年份 |
connector |
6300 |
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21+ |
SOT23-6 |
350060 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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HARTING |
21+ |
160POS |
2000 |
全新原装 鄙视假货15118075546 |
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H |
16+ |
DIP |
10 |
原装正品 专营军工 |
|||
MOLEX |
22+ |
SMD |
518000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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M/A-COM |
2018+ |
SMD |
3000 |
M/A-COM专营微波射频全新原装正品 |
|||
SEMITEC |
21+ |
/ |
50000 |
日本原厂10年指定销售商 |
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HIP2101IB贴片SOP-8门驱动器的功能
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2020-2-8HIP4080-80V/2.5A峰值,高频全桥FET驱动器
说明该HIP4080是一个高频率,中压全桥N沟道场效应管驱动IC,在20个铅可用塑料SOIC和DIP封装。该HIP4080包括输入比较器,用于促进“滞后“和PWM工作模式。它的母鸡(高启动)铅可以强制电流飞轮在底部的两个外部功率MOSFET,保持上功率MOSFET关闭。因为它可以切换频率高达1MHz的,是非常适合的HIP4080音圈马达驱动,D类高频开关音频开关放大器放大器和电源。HIP4080也可以驱动中压刷马达,二HIP4080s可用于驱动高性能步进马达,因为短期最低“上的时间“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍,可以调整到接近零,
2013-3-4HIP2100-100V/2A山顶,低成本,高频率的一半桥驱动器
100V/2A山顶,低成本,高频率半桥驱动该HIP2100是一个高频率,100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路,可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制,并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手,高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。特点•驱动N沟道MOSFET半桥•
2013-3-4HIP1015-配电控制器
HIP1015和HIP1016热插拔电源控制器。HIP1015是针对一个+12V总线,而HIP1016是针对+5V应用。每个人都有一个欠压(UV)与一个阈值的监测和报告水平〜17%,比标称的+12V和+5V低HIP1015有一个集成的电荷泵,允许高达+12V总线使用一个外部N沟道的控制MOSFET的。HIP1016也可以用来控制多在更高的积极或消极的电压偏低控制器配置。HIP1015和HIP1016功能可编程过流(OC)检测,电流限制调节时间延迟锁断,软启动。特点•热插拔单配电控制(HIP1015为12V,HIP
2013-1-7HIP1011-PCI热插拔控制器
HIP1011的PCI热插拔电压总线控制IC为在现代计算机系统,有利于热插拔使用适配卡的流入和流出的主动或被动回飞机。随着分立的功率MOSFET和几个被动元件,HIP1011创建一个小而简单尚未完成的功率控制解决方案。四个独立的供应控制的+12V,+3.3V,+5V和-12V。而+12V和-12V开关集成。为+5V和+3.3V用品,过流保护是通过检测提供外部电流检测电阻两端的电压。对于+12V的和-12V电源,提供过电流保护内部。此外,片上基准是用来监视的+5V,+3.3V和+12V输出欠压条件。PWRON输入控制开关的状态。在任何输出过流条件,或欠压条件的+5V,
2013-1-7HIP1020-双或三输出热插拔控制器
HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V,5V和12V的MOSFET的任意组合。内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时,需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di/dt限制。如果一个较慢的速度是必需的,内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC=12V,电荷泵的坡道上的电压从零到22VHGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时,高边开关为12V电源控制。“LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5VM
2013-1-6
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