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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
1015MP

15 Watts, 50 Volts Avionics 1025 - 1150 MHz

GENERAL DESCRIPTION The 1015 MP is a COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 1025-1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input prematch for broadband capability. Low thermal resistanc

ADPOW

1015MP

15 Watts, 50 Volts Avionics 1025 - 1150 MHz

GENERAL DESCRIPTION The 1015 MP is a COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems up to 1150 MHz. The device has gold thin-film metallization for proven highest MTTF. The transistor includes input prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junct

Microsemi

美高森美

A1015

Photo Interrupters

Photo Interrupters Overview CNA1015 series is a transmissive photosensor series in which a high efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting element. The two elements are arranged

Panasonic

松下

1015

Cushion-Mount??Plus Plate Mounting Tapes

文件：309.03 Kbytes Page：4 Pages

3M

1015M

Cushion-Mount??Plus Plate Mounting Tapes

文件：309.03 Kbytes Page：4 Pages

3M

HIP1015CBZA供应商更多...

更新时间：2025-8-11 17:15:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市恒佳微电子有限公司
1015S12FPW-Y
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市永贝尔科技有限公司
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HIP1015CBZA数据表相关新闻

  • HIN213ECAZ-T原装正品，价格优势

    原装正品，价格优势 我们竭诚为您服务 13342971909 吴小姐

    2019-3-6

  • HIP2100-100V/2A山顶，低成本，高频率的一半桥驱动器

    100V/2A山顶，低成本，高频率半桥驱动 该HIP2100是一个高频率，100V的半桥N沟道MOSFET驱动器集成电路，可在8引线塑料SOIC封装。低边与高边栅极驱动程序独立控制，并能满足为8ns。这使用户在死区时间的选择和司机最大的灵活性协议。欠压保护双方的低边和高端用品的产出力低。芯片上的二极管消除了分立二极管驱动IC与其他必需的。一种新的电平转换器拓扑结构产生的低功耗优势的脉冲操作与直流操作的安全。不像一些竞争对手，高边输出返回正确的国家在对高端瞬时欠压供应。 特点 •驱动N沟道MOSFET半桥 •

    2013-3-4

  • HIP1011-PCI热插拔控制器

    HIP1011的PCI热插拔电压总线控制IC为在现代计算机系统，有利于热插拔使用适配卡的流入和流出的主动或被动回飞机。随着分立的功率MOSFET和几个被动元件，HIP1011创建一个小而简单尚未完成的功率控制解决方案。四个独立的供应控制的+12 V，+3.3 V，+5 V和- 12V。而+12 V和- 12V开关集成。为+5 V和+3.3 V用品，过流保护是通过检测提供外部电流检测电阻两端的电压。对于+12 V的和- 12V电源，提供过电流保护内部。此外，片上基准是用来监视的+5 V，+3.3 V和+12 V输出欠压条件。PWRON输入控制开关的状态。在任何输出过流条件，或欠压条件的+5 V，

    2013-1-7

  • HIP1011D-双PCI热插拔控制器

    HIP1011D是独立的第一个IC 两个PCI热插拔插槽的控制。 HIP1011D所有 两个单独的PCI热插拔插槽的功能和功能 控制器如HIP1011A但在相同的脚印 区。 是专为身体密切的HIP1011D 接近服务每两个相邻的PCI插槽 独立但减少布局的复杂性和安置 在装配成本。它创建了两个独立的电源控制 与分立的功率MOSFET的解决方案和一些无源 组件。四个电源的+5 V +3.3 V，+12 V和- 12V 每个插槽可以独立控制。有四个 集成的电流感应开关的+12 V和- 12V 为+5 V和+3.3 V电源过流保护 提供跨外部currentsense感应电压 电阻。此外，用于片上引用

    2013-1-7

  • HIP1015-配电控制器

    HIP1015和HIP1016热插拔电源控制器。HIP1015是针对一个+12 V总线，而HIP1016是针对+5 V应用。每个人都有一个欠压（UV）与一个阈值的监测和报告水平〜17％，比标称的+12 V和+5 V低HIP1015有一个集成的电荷泵，允许高达+12 V总线使用一个外部N沟道的控制MOSFET的。 HIP1016也可以用来控制多在更高的积极或消极的电压偏低控制器配置。 HIP1015和HIP1016功能可编程过流（OC）检测，电流限制调节时间延迟锁断，软启动。 特点 •热插拔单配电控制（HIP1015为12V，HIP

    2013-1-7

  • HIP1020-双或三输出热插拔控制器

    HIP1020适用于一个线性斜坡电压大门3.3V，5V和12V的MOSFET的任意组合。 内部电荷泵双打12V偏压或者三倍的5V偏置为客户提供高侧驱动器的能力时，需要使用更多的成本效益的N沟道MOSFET。 5V/ms坡道内部控制率和打开是正确的价值大多数设备在设备湾指定的di / dt限制。如果一个较慢的速度是必需的，内部确定的升温速率可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。当VCC = 12V，电荷泵的坡道上的电压从零到22V HGATE约4ms的。这使得无论是标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强使用时，高边开关为12V电源控制。 “LGATE坡道从零到16V的电压使3.3V和/或5V M

    2013-1-6

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