型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG27N120BNandHGT5A27N120BNareNonPunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconduct

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTG27N120BNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.7V@IC=34A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT NPT 1200V 72A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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72A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT

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Fairchild

HGTG27N120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTG27N120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TO-220
7063
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
FAIRCHI
2020+
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
仙童
20+
TO-247
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
FAIRCHILD
17+
TO-247
622
全新原装环保
FAIRCHILD
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
FAIRCHILD
2018+
TO-247
11256
只做进口原装正品!假一赔十!
21+
SOT23-5
90000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD
22+23+
TO-247
19016
绝对原装正品全新进口深圳现货
FAIRCHILD
23+
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9526
FSC
TO247
2000
现货库存

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