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位置：首页 > IC中文资料第1644页 > HGTG20N60C3D

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGTG20N60C3D

45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

TheHGTG20N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG20N60C3D

45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

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Intersil

Intersil Corporation

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HGTG20N60C3D

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 45A 164W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

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HGTG20N60C3

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGTG20N60C3

45A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT

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Intersil

Intersil Corporation

Intersil
20N60C3

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Intersil

Intersil Corporation

Intersil
20N60C3

CoolMOSPowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •WorldwidebestRDS(on)inTO220 •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTG20N60C3D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTG20N60C3D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 UFS 20A 600V N-Ch

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGTG20N60C3D供应商更多...

更新时间：2025-7-24 16:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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