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H7N0603DL

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =15mΩ(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

H7N0603DL

Transistors>Switching/MOSFETs

RENESAS

瑞萨

H7N0603DL

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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Silicon N Channel MOS FET High speed power Switching

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0603DL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0603DL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-1-29 13:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO251
60000
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-251
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS/瑞萨
20+
TO-252
2500
进口原装现货,假一赔十
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
NEC
26+
ZIP
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
R
23+
TO-251
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
RENESAS/瑞萨
23+
TO-252
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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