型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H7N0603DL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =15mΩ(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0603DL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0603DL-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2)

更新时间:2026-1-31 15:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
20+
TO-252
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS/瑞萨
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS
23+
null
7000
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
VBsemi
23+
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10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
RENESAS/瑞萨
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TO-252
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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50642
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
VBsemi
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TO252
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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