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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N0603DL-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=30A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =15mΩ(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.39 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N0603DL-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N0603DL-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(2)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-252 |
2500 |
进口原装现货,假一赔十 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
VBsemi |
23+ |
TO252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
50642 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
瑞萨RENESA |
22+ |
DPAK(S) |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
H7N0603DL-E规格书下载地址
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