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H5N2503P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2503P	Power MOSFETs and IGBT for PDP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DL	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2507P	250V - 50A - MOS FET 250V - 50A - MOS FET Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.04  typ. (at ID = 25 A, VGS= 10 V, Ta = 25°C)  Low leakage current  High speed switching  Low gate charge  Built-in fast recovery diode	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P	SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING)	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
H5N2509P	Power MOSFETs and IGBT for PDP	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2513PL	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Built-in fast recovery diode	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2513PL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Built-in fast recovery diode	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2522FP-E0-E	250V - 12A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.13  typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  Low leakage current  High speed switching  Built-in fast recovery diode	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：75.37 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LD_10	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LD-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LM	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：75.37 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LMTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：75.37 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：75.37 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2501LSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2502CF	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：70.47 Kbytes Page：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2503P	Power MOSFETs	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H5N2504DL	Transistors>Switching/MOSFETs	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H5N2504DL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：91.71 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：91.71 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2504DS	Power MOSFETs	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H5N2505DL_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.1 Kbytes Page：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2505DL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：118.22 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2505DS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：118.22 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2505DSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：118.22 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2507P_15	250V - 50A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：127.47 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H5N2508DSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：91.81 Kbytes Page：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2509P_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：106.44 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H5N2510DL_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：79 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2510DL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：60.87 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2510DS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：60.87 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2510DSTL-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：60.87 Kbytes Page：5 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2512CF	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：70.53 Kbytes Page：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2512FL-M0	250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.61 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2512FL-M0_15	250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.61 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2512FL-M0-ET2	250V - 18A - MOS FET High Speed Power Switching 文件：101.61 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2512FN	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：100.61 Kbytes Page：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2514P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：48.88 Kbytes Page：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2514P_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：75.89 Kbytes Page：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2514P-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：48.88 Kbytes Page：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H5N2515P	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：80.7 Kbytes Page：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

H5N25产品属性

类型
描述
型号
H5N25
制造商
RENESAS
制造商全称
Renesas Technology Corp
功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更新时间：2025-12-28 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	H5N2509P	RENESAS/瑞萨	24+	NA/	3590	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司	H5N2509P-E	RENESAS	25+		1	公司现货库存	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	H5N2509P	RENESAS/瑞萨	2447	TO-3P	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	H5N2509P-E	RENESAS	22+	TO-247	20000	公司只做原装品质保障	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	H5N2509P-E	RENESAS	24+	TO-247	16900	原装正品现货支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	H5N2509P-E	RENESAS	10+	TO-247	1300	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市诺美思科技有限公司	H5N2509P-E	RENESAS		原厂封装	9800	原装进口公司现货假一赔百	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	H5N2509P-E	RENESAS	2023+	TO-247	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	H5N2509P	RENESAS/瑞萨	2022+	TO-3P	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市凌旭科技有限公司	H5N2509P	RENESAS	2016+	TO-3P	3500	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价

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H5MS2G62AFR-J3M
深圳飞弛宏科技有限公司是一家专业集成电路及电子零配件服务型企业。成立于2012年，是电子元器件找货专家，强大的供应商数据库，整合全球优质资源，多名经验丰富的元器件采购尽最大的可能帮助您找到您想要的元件。全球1500多家代理商及独立分销商，1000多万条库存，链接您的需求，优化您的渠道，更有代理商清库特价货源和OE
2019-9-25
H5MS2G62AFR-E3M
深圳飞弛宏科技有限公司是一家专业集成电路及电子零配件服务型企业。成立于2012年，是电子元器件找货专家，强大的供应商数据库，整合全球优质资源，多名经验丰富的元器件采购尽最大的可能帮助您找到您想要的元件。全球1500多家代理商及独立分销商，1000多万条库存，链接您的需求，优化您的渠道，更有代理商清库特价货源和OE
2019-9-25
H5MS2G62
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2019-9-25

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