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H5N2509P-E中文资料

厂家型号

H5N2509P-E

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7

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

数据手册

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生产厂商

RENESAS

H5N2509P-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ.

• Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V)

• High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V)

• Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A)

• Avalanche ratings

H5N2509P-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N2509P-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

更新时间:2025-10-5 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7686
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS
2014+
1
公司现货库存
RENESAS
10+
TO-247
1300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
23+
TO-247
3800
原厂原装正品
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原厂封装
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RENESAS
2023+
TO-247
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。