型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H5N2509P-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin

RENESAS

瑞萨

Power MOSFETs and IGBT for PDP

RENESAS

瑞萨

SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING

SILICON N CHANNEL MOSFET SWITCHING)

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: R DS (on) = 0.053 Ω typ. • Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 250 V, VGS = 0 V) • High speed switching: tf = 110 ns typ (at ID = 15 A, RL = 8.3 Ω, VGS = 10 V) • Low gate charge: Qg = 110 nC typ (at VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 30 A) • Avalanche ratin

RENESAS

瑞萨

H5N2509P-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N2509P-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

更新时间:2026-1-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7686
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
24+
TO252
880000
明嘉莱只做原装正品现货
RENESAS
25+
1
公司现货库存
RENESAS
26+
TO-247
360000
进口原装现货
RENESAS
10+
TO-247
1300
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2020+
28
RENESAS/瑞萨
24+
TO-3P
54000
郑重承诺只做原装进口现货
HITACHI
23+
TO-252
42721
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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