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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V) • High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A) • Avalanche ratings

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V) • High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A) • Avalanche ratings

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V) • High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A) • Avalanche ratings

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp. • Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V) • High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A) • Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A) • Avalanche ratings

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N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-28 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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TO-251
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代理渠道/只做原装/可含税
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原装正品现货支持实单
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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原装进口公司现货假一赔百
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    深圳飞弛宏科技有限公司是一家专业集成电路及电子零配件服务型企业。成立于2012年,是电子元器件找货专家,强大的供应商数据库,整合全球优质资源,多名经验丰富的元器件采购尽最大的可能帮助您找到您想要的元件。全球1500多家代理商及独立分销商,1000多万条库存,链接您的需求,优化您的渠道,更有代理商清库特价货源和OE

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    2019-9-25
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