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H5N2004DL中文资料

厂家型号

H5N2004DL

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8

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K

数据手册

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生产厂商

RENESAS

H5N2004DL数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance: RDS (on)= 0.38 Ωtyp.

• Low leakage current: IDSS= 1 µA max (at VDS= 200 V)

• High speed switching: tf= 10 ns typ (at VGS= 10 V, VDD= 100 V, ID= 4 A)

• Low gate charge: Qg = 14 nC typ (at VDD= 160 V, VGS= 10 V, ID= 8 A)

• Avalanche ratings

H5N2004DL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N2004DL

  • 功能描述

    Datasheet|ADE-208-1372|MAR.20.01|58K

更新时间:2025-10-4 14:09:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
TO-252
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS
2023+
TO-252
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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24+
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9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
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23+
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全新原装正品现货,支持订货
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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进口原装现货,假一赔十
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公司只做原装,详情请咨询
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24+
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原装正品现货支持实单
RENESAS
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百