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H5N2004DSTL-E

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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Features •Lowon-resistance:RDS(on)=0.38Ωtyp. •Lowleakagecurrent:IDSS=1µAmax(atVDS=200V) •Highspeedswitching:tf=10nstyp(atVGS=10V,VDD=100V,ID=4A) •Lowgatecharge:Qg=14nCtyp(atVDD=160V,VGS=10V,ID=8A) •Avalancheratings

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N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

文件:1.42322 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

H5N2004DSTL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H5N2004DSTL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2024-5-22 13:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
21+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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2023+
TO-252
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
VBsemi
2210+
TO252
4320
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
RENESAS
1822+
TO-252
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
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23+
TO-252
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!
23+
N/A
12850
正品授权货源可靠
POWER
2022+
TO252
57550
VBSEMI/台湾微碧
22+21+
TO-252
5030
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
VBSEMI/台湾微碧
TO-252
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
VBSEMI/台湾微碧
23+
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50000
全新原装正品现货,支持订货

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