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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancement-mode •HighspeedIGBT:tf=0.25µs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8µs(typ.)(di/dt=−20A/µs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.3V@IC=10A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·FrequencyConverters ·AirConditioning ·UPS,PFC ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

HighPowerSwitchingApplications The4thGeneration •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancement-mode •HighspeedIGBT:tf=0.25µs(typ.)(IC=60A) FRD:trr=0.8µs(typ.)(di/dt=−20A/µs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.3V(typ.)(IC=

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-5-29 11:19:01
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