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厂家型号	60N321
文件大小	173.5Kbytes
页面数量	6页
功能描述	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	TOSHIBA

High Power Switching Applications

The 4th Generation

• FRD included between emitter and collector

• Enhancement-mode

• High speed IGBT : tf = 0.25 µs (typ.) (IC = 60 A)

FRD : trr = 0.8 µs (typ.) (di/dt = −20 A/µs)

• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.3 V (typ.) (IC = 60 A)

60N321供应商...

更新时间：2025-12-1 16:47:00

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