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P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 150mΩ ID ‐2.2A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 150mΩ ID ‐2.4A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

TMOS POWER FET 5.0 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.55 OHM

TMOS E-FET Power Field Effect Transistors DPAK for Surface Mount P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate This advanced TMOS E–FET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The new energy efficient design also offers a drain–to–source diode with a fast recovery

Motorola

摩托罗拉

High Power and current handing capability

文件:1.12919 Mbytes Page:5 Pages

LUGUANG

鲁光电子

Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P?묬hannel DPAK

文件:92.59 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

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