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RFPOWERTRANSISTORSLdmosEnhancedTechnology

DESCRIPTION TheLET21030CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto2.1GHz.TheLET21030Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsource

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

RFPOWERFIELDEFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENANCEMENT-MODELATERALMOSFETS

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N–ChannelEnhancement–ModeLateralMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2.0to2.2GHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN–PCS/cell

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

30W,2.110GHz-2.170GHz,N-ChannelE-Mode,LateralMOSFET

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TriQuint

TriQuint Semiconductor, Inc.

TriQuint

LowLossCWDM

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OPLINK

Oplink Communications, LLC

OPLINK

LowLossCWDM

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OPLINK

Oplink Communications, LLC

OPLINK

GDM21030产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GDM21030

  • 功能描述

    THYRISTOR MODULE|GTO|CENTER-TAPPED|CA|1KV V(RRM)|60A I(T)

更新时间:2024-6-5 22:30:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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