位置：首页 > IC中文资料第7383页 > AGR21030EF
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
AGR21030EF | 30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET 文件：371.51 Kbytes Page：9 Pages | TRIQUINT |   | |
AGR21030EF | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB | ETC 知名厂家 | ETC | |
AGR21030EF | 30 W, 2.110 GHz-2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET | QORVO 威讯联合 | | |
RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology DESCRIPTION The LET21030C is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 2.1 GHz. The LET21030C is designed for high gain and broadband performance operating in common source | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages | OPLINK | | ||
Low Loss CWDM 文件：351.5 Kbytes Page：2 Pages | OPLINK | | ||
Dial Type Knobs, Knurled Sides, Top Indictor Line, Solid Aluminum 文件：116.32 Kbytes Page：1 Pages | MULTICOMP 易络盟 | |
AGR21030EF产品属性
- 类型
描述
- 型号
AGR21030EF
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TRIQUINT |
2026+ |
SMD |
17 |
原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
TRIQUINT |
24+ |
TR-LDMOS |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
24+ |
10 |
||||||
ASI |
1115+ |
142 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
||||
AGERE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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TRIQUINT |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
AGERE |
24+ |
SMD |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
ASI |
03+ |
2 |
原装现货 |
||||
AGERE |
23+ |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
||||
TRIQUINT |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
AGR21030EF规格书下载地址
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AGQ200A12Z，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-8
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