| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
丝印代码：G2N65；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description This advanced MOSFET family has optimized on-state resistance, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for high efficiency switch mode power supplies. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | ||
650V N Channel PLANAR MOSFET | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
Composite Transistor For Muting Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT2N65M is a composite transistor with built-in bias resistor FEATURE ● Built-in bias resistor ( R1=10 KΩ) ● Mini package for easy mounting APPLICATION muting circuit、 switching circuit | ISAHAYA 谏早电子 | | ||
650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
650V N-Channel MOSFET 文件：936.64 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW | | ||
650V N-Channel MOSFET 文件：871.49 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW | | ||
StarMOST Power MOSFET 文件：201.76 Kbytes Page：2 Pages | GOOD-ARK 固锝电子 | |
G2N65产品属性
- 类型
描述
- Package：
TO-252
- Type：
N
- ESD Diode：
NO
- Vds(V)：
650
- Vgs(V)：
±30
- Id(A)：
2
- Pd(W)：
35
- Vgs(th)max(V)：
4
- Rds(on)mΩ(typ)@Vgs=10V：
4100
- Rds(on)mΩ(max)@Vgs=10V：
5000
- Qg(nC)：
8
- Qgs(nC)：
2
- Qgd(nC)：
3
- Ciss(pF)：
250
- Crss(pF)：
0.1
- Technology：
PLANAR
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- G2PW1V260
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- G2PM400VSY20
- G2PF400VS02
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- G2PC2V560
- G2PC2V060
- G2PC1V860
- G2PC1V560
- G2P109NLF
- G2NU
- G2N7002K
- G2N7002_06
- G2N7002
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- G2N5401
- G2N4403
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- G2N
- G2MT-1125T-RC-DC12
- G2MT1125TRCDC12
- G2MT-1125T-RC DC12
- G2MPMT4-11R
- G2MMH.3208P22
- G2MMH.3205P32
- G2MMH.3203P32
- G2MMH.2208P22
- G2MMH.2205P32
- G2MMH.2203P32
- G2M-E3/54
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- G2M65
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G2N65数据表相关新闻
G2R120MT33J
G2R120MT33J
2022-11-28G2401CG
G2401CG，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-10G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
G219R-D3，G28F640J5-150，G571S1，G6CH-1G8425-L224-R，
2020-2-26G2R-1-24V
G2R-1-24V，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-12G2R-1-12V
G2R-1-12V ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-10-12G2995-DDR终端稳压器
概述 在G2995是一个线性稳压器设计，以满足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3（系列存根终止逻辑）的DDR- SDRAM终端规范。它包含一个高速运算放大器，可提供出色的负载瞬态响应。这设备可以提供1.5A的连续电流和瞬态峰达至所需的应用程序中的3ADDR- SDRAM终止。具有独立VSENSE引脚，G2995可提供卓越的负载调节。在G2995提供作为参考VREF输出芯片组和DIMM的申请。在G2995可以轻松地提供准确的VTT和VREF电压，无需外部电阻器的印刷电路板领域可以减少。静态电流低至作为280μA@2.5V。因此，电力消耗满足低功耗的应用。
2013-1-29
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