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LVMOS

IPS

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 3A, RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 280mΩ @VGS = 6V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-223 package.

CET

华瑞

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 3.7mΩ ID 180A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating

EXCELLIANCE

杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 4.0mΩ ID 87A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.39626 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:640.15 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

更新时间:2025-12-28 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IPS
24+
NA/
50000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IPS
25+23+
NA
24980
绝对原装正品全新进口深圳现货
IPS
17+
NA
6200
100%原装正品现货
IPS
1716+
TO-220
8500
只做原装进口,假一罚十
IPS
23+
NA
7000
IPS
24+
SMD
12000
原厂/代理渠道价格优势
原装正品
23+
TO-220
57498
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
IPS
14+
TO-220
1970
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
MW
2023+
TO-220
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
I
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装

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