| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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YJM04N10A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：640.15 Kbytes Page：6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 |   | |
YJM04N10A | 中低压MOSFET(12V-400V) | YJYCOIN 益嘉源 | | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 3A, RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 280mΩ @VGS = 6V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-223 package. | CET 华瑞 | | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 3.7mΩ ID 180A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 4.0mΩ ID 87A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.39626 Mbytes Page：5 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
扬杰科技 |
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