| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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YJM04N10A | N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 文件：640.15 Kbytes Page：6 Pages | YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司 |  |   |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,3A,RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=280mΩ@VGS=6V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 |  | | |
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)3.7mΩ ID180A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  | | |
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)4.0mΩ ID87A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | | | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET 文件：1.39626 Mbytes Page：5 Pages | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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