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LM04N10A

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 3A, RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 280mΩ @VGS = 6V. ■ High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ Rugged and reliable. ■ Lead free product is acquired. ■ SOT-223 package.

CET

华瑞

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 3.7mΩ ID 180A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating

EXCELLIANCE

杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 4.0mΩ ID 87A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:640.15 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

更新时间:2025-9-29 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NS
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BGA
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