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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

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更新时间:2025-11-3 23:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ir
2023+
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50000
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