位置：首页 > IC中文资料第1290页 > FQU1N50TU
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FQU1N50TU | MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 1N50A is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide customers with planar stripe and DMOS technology. This technology allows a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pulse in the avalanch | UTC 友顺 | | ||
Drain Current ID= 1.2A@ TC=25C •FEATURES •Drain Current ID= 1.2A@ TC=25℃ •Drain Source Voltage- : VDSS= 500V(Min) •Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.5Ω(Max) •Fast Switching •APPLICATIONS •Switch mode power supply. | ISC 无锡固电 | | ||
GOLD BONDED GERMANIUM DIODE 文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：177.99 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | | ||
1.3 Amps, 500 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：169.79 Kbytes Page：6 Pages | UTC 友顺 | |
FQU1N50TU产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQU1N50TU
- 功能描述
MOSFET 500V N-Channel QFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
18+ |
TO-251 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
FAIRCHILD国产 |
24+ |
TO-251 |
56800 |
特价现货,下单送华为手机.香港 日本 新加坡 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-251 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
国产替代 |
2012 |
TO251-3 |
50000 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
80 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
I-PAKTO-251 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD |
0936+ |
TO-251 |
2000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FAIRCHILD |
SSU1N60 |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
23+ |
TO-251 |
65480 |
|||||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
I-PAKTO-251 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
FQU1N50TU规格书下载地址
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2021-1-14
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