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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters | IRF | |||
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N-Channel MOSFET Transistor 文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 | |||
SMPS MOSFET 文件:3.72818 Mbytes Page:10 Pages | KERSEMI | |||
N-Channel MOSFET Transistor 文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages | ISC 无锡固电 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
24+ |
NA/ |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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INFINEON/英飞凌 |
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ir |
25+ |
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INFINEON/英飞凌 |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
2025+ |
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全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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原装正品,实单请联系 |
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IR |
NEW |
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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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TO-252 |
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原装现货假一罚十 |
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INFINEON/IR |
2023+ |
TO-252 |
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