位置：首页 > IC中文资料第1292页 > FQPF10N60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FQPF10N60 | 600VN-ChannelMOSFET 文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtomini-mizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperfor-mance,andwithstandhighenergypul | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformanc | KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd. |  | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
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600VN-ChannelMOSFET 文件：1.02071 Mbytes Page：10 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC10N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchinga | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
10Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
10A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | |
FQPF10N60产品属性
- 类型
描述
- 型号
FQPF10N60
- 功能描述
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
|||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
N/A |
13048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
ON(安森美) |
2447 |
TO-220-3 |
105000 |
1000个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
|||
TO220F |
23+ |
TO220F |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-220F |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2410+ |
TO-220F |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-220F |
8866 |
||||
FSC |
24+ |
TO-220F |
536 |
全新原装环保现货 |
|||
FAIRCHILD |
22+ |
TO-220 |
36294 |
原装正品现货 |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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